鎧裝鉑熱波（bō）膜電阻
WZPK-105U，WZPK-324U，WZPK-364U，WZPK-264U，WZPK-163U，WZPK-523U，WZP-421D，WZPK-103U，WRP2-121B，WZP2-74S
簡單（dān）介（jiè）紹
WZPK-466U|鎧裝鉑熱波（bō）膜（mó）電阻CRZ係列薄（báo）膜鉑熱電阻元件是把（bǎ）金屬鉑研製成粉漿，采用先進的激光噴（pēn）濺薄（báo）膜技術及光刻（kè）法和（hé）幹燥蝕刻法把附（fù）著在陶（táo）瓷基片（piàn）上形成膜
WZPK-466U|鎧裝鉑熱波膜（mó）電阻
的詳（xiáng）細介紹（shào）
WZPK-466U|鎧裝鉑熱波膜電阻（zǔ）
熱電（diàn）阻的工（gōng）作（zuò）原理：在溫度的（de）作用下（xià），電阻絲的電（diàn）阻隨之變（biàn）化而（ér）變（biàn）化。可用於測量 -200℃～﹢800℃範圍內的溫度。其優（yōu）點是（shì）：偏差（chà）極小。由於它的良好（hǎo）電輸出性（xìng）能，熱電阻（zǔ）可為顯示儀、記錄儀（yí）、調（diào）節儀、掃描儀及電腦提供精確的輸入值。
WZPK466U鎧裝（zhuāng）鉑熱波膜電阻（zǔ），WZPK-466U,的詳（xiáng）細資料：
1． 測溫範圍、允差
名稱 型號 分度號 測（cè）溫（wēn）範圍 等級 允許偏差（chà）
鉑電阻
WZP Pt100
Pt10 -200~±650℃ A ±（0.15+0.02t）
B ±0.30+0.005t
銅（tóng）電阻（zǔ） WZC Cu50
Cu100 -50~+150℃ ±（0.30+0.006t）
2.熱響（xiǎng）應時間
在溫度出現階躍變（biàn）化時（shí）,熱電阻（zǔ）的電阻值變化至相當於該階躍變化的50%，所需要的時間稱為熱響應時間，用t0.5表（biǎo）示。
3.自熱（rè）影（yǐng）響
鉑電阻允許通過（guò）電流1mA，最（zuì）大（dà）測量電流為5mA，由此產生的升溫不大於0.3℃。
4.電（diàn）阻溫度係數（α）與標稱值的偏差
名（míng）稱 等級 α α
鉑電阻 A 0．003851 ±0.000006
B ±0.000012
銅電阻 0．004280 ±0.000020
5.絕緣電阻
當周（zhōu）圍空（kōng）氣溫度15-35℃和相對濕度小於80%時（shí）熱電（diàn）阻絕緣（yuán）電阻不小（xiǎo）於100MΩ。
薄（báo）膜鉑電阻元件
一、 概述
CRZ係（xì）列薄膜鉑熱電阻元件是把金（jīn）屬鉑（bó）研製成粉漿，采用先進的激光噴濺薄膜（mó）技術及光刻法和幹燥蝕刻法把附著在（zài）陶瓷基片上形（xíng）成膜，引線（xiàn）經過激光調（diào）阻製成，完全自動的（de）生產程序保證了產品完全符合IEC標準。
二（èr）、 技術特點
1． 薄膜鉑熱（rè）電阻元（yuán）件用陶瓷和鉑製（zhì）成（chéng），因而在高溫下（xià）能夠保持優良（liáng）的穩定性（xìng），適（shì）合在-50～400℃的（de）溫（wēn）度下使用。
2． 鉑（bó）薄膜（mó）通過激光噴濺在（zài）陶（táo）瓷表層，因而它具有良好的防震和（hé）防衝擊性能。
3． 薄膜表麵蓋以（yǐ）陶瓷，因（yīn）而元件能夠承（chéng）受高壓，並具有良好的絕緣性（xìng）。
4． 引線材料為鎳鍍（dù）金和純鈀兩種（zhǒng）。
5． 規格：
型號 規格
長×寬×高（gāo） 阻值 測量電流 精度 測量範圍（wéi） 熱（rè）響應時（shí）間
CRZ-1632 3.2×1.6×1.0 PT100
PT100 ≤1mA A -50～550℃ ≤0.3S
CRZ-2005 5.0×2.0×1.1 PT50 ≤2mA A -50～400℃
CRZ-2005 5.0×2.0×1.0 PT10 ≤0.5mA B -50～500℃
6． 精度：
等級 α 0℃時的電阻（zǔ）值（Ω） 允（yǔn）許偏差（Ω）
A 0.003851 100.00 ±0.150+0.002t
B 0.003851 100.00 ±0.30+0.005t
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