模擬，霍爾式接近開關
位移量（liàng）線性傳感器, 霍（huò）爾（ěr）位移傳感器 ,電容式（shì）接近開關 ,磁感應線性傳（chuán）感器,模擬量接近開關
外形編號: XTH XTL XTM
外形尺寸: M18X1X70 M30X1.5X75 40X40X118......
檢測距離: 埋入式:5mm 非埋入式:8mm - 埋（mái）入式:15mm非埋（mái）入式:20mm
電流型型號: XTH-05P1,XTH-K08P1,XTM-15P1,XTM-K20P1......
電壓型型號（hào）: XTH-05P2,XTH-K08P2,XTM-15P2,XTM-K20P2......
功耗（hào） 檢測時 ≤20mA ... < 4mA
功耗 無檢測時 ≤20mA
電壓範（fàn）圍（wéi）: 15-30V DC
負載（zǎi）電阻 電 流 型: 0 ～ 300 Ω
負載電阻 電 壓 型: ≥500KΩ
輸 出 電（diàn） 流 型: 4 ～ 20 mA
輸 出 電 壓 型: 0 ～ 10 V
輸出（chū）特性曲線: 略
允（yǔn）許電壓波動: ≤ 5%
空載電流（24V時） 40mA
輸出信號: PNP模擬
線性（xìng）誤差: ≤2%
外（wài）殼材（cái）料: 金屬表麵處理/ABS塑料
溫度飄移（yí）: ≤0.01mm／℃
重（chóng）複精度: ≤１％
環境溫（wēn）度: －25℃ ～85℃
防護（hù）等級 IP67
霍爾式接近（jìn）開關原理簡介
具當一塊（kuài）通有電流（liú）的金屬或半導體薄片垂直地放在（zài）磁場中時，薄片的（de）兩端就會產生電位差（chà），這種現象（xiàng）就稱為霍爾效應。兩端具有（yǒu）的（de）電位差（chà）值稱為霍爾電勢U，其表達式為
U=KIB/d
其中K為霍（huò）爾係數（shù），I為薄片中通（tōng）過的電流（liú），B為外加磁場（洛倫慈力Lorrentz）的磁感（gǎn）應強度，d是薄片（piàn）的（de）厚度。
由此可見，霍爾效應的靈（líng）敏度高低與外加（jiā）磁場的磁感（gǎn）應強度成正比的關係。
霍爾開（kāi）關（guān）的輸入端是（shì）以磁感應強度B來（lái）表征的，當B值達到（dào）一定的程度時，霍爾（ěr）開關內部的觸發器翻（fān）轉，霍（huò）爾開關的輸出（chū）電平狀態也（yě）隨之翻轉。輸出端一般（bān）采用晶體管輸出，和接（jiē）近開關類似有（yǒu）NPN、PNP、常開型、常閉型、鎖存型（雙極（jí）性）、雙信號輸出（chū）之分。
霍爾開關（guān）具有無觸電（diàn）、低（dī）功耗、長（zhǎng）使用壽命、響應頻率高等特（tè）點，內部采用環氧樹脂封灌J4-D8V JCW-30QA JCW-40QA JCW-48QA NJK-5001C NJK-5001D NJK-5001A
NJK-5001B NJK-5002C NJK-5002D NJK-5002CD NJK-5002A NJK-5002B NJK-5002AB
NJK-8002C NJK-8002D NJK-8002CD NJK-8002A NJK-8002B NJK-8002AB NJK-5003C NJK-5003D NJK-5003CD NJK-5003A NJK-5003B NJK-5003AB |
